Výrobca Číslo produktu:
SSM6J505NU,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6J505NU,LF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Podrobný popis:
P-Channel 12 V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventár:
14700 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889227
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6J505NU,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
12 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.2V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
37.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±6V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2700 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-UDFNB (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
SSM6J505
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NULFDKR
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFCT
SSM6J505NULFTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
