Výrobca Číslo produktu:
SSM6K208FE,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6K208FE,LF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 1.9A ES6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventár:
4000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890524
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6K208FE,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
1.8V, 4V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
133mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
123 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
500mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Základné číslo produktu
SSM6K208
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
4,000
Iné mená
SSM6K208FELFTR
SSM6K208FELFDKR
SSM6K208FE,LF(CA
SSM6K208FELFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCC8001-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
TPC6104(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
DMG3415UFY4Q-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
