Výrobca Číslo produktu:
SSM6K361NU,LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6K361NU,LF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Inventár:
40516 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889812
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6K361NU,LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
69mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
430 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
6-UDFNB (2x2)
Balenie / puzdro
6-WDFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
SSM6K361
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM6K361NULFDKR
SSM6K361NULF(B
SSM6K361NU,LF(B
SSM6K361NULFTR
SSM6K361NULF
SSM6K361NULFCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
TK20P04M1,RQ(S
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
SSM6K514NU,LF
MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
