Výrobca Číslo produktu:
SSM6L09FUTE85LF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6L09FUTE85LF-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
Inventár:
38045 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889231
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
gnRe
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6L09FUTE85LF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Not For New Designs
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
N and P-Channel
Funkcia FET
Logic Level Gate
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
400mA, 200mA
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.8V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
20pF @ 5V
Výkon - Max
300mW
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balík zariadení dodávateľa
US6
Základné číslo produktu
SSM6L09
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
SSM6J50TULF
SSM6L09FUTE85LFTR
SSM6J50TULF(B
SSM6L09FUTE85LFDKR
SSM6L09FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85L,F)
SSM6L09FU (TE85L,F)
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
NX3008CBKS,115
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
43168
ČÍSLO DIELU
NX3008CBKS,115-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.05
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
