Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
SSM6N16FE,L3F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
SSM6N16FE,L3F-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A ES6
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventár:
7720 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889461
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
SSM6N16FE,L3F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100mA (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.1V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
-
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9.3pF @ 3V
Výkon - Max
150mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balenie / puzdro
SOT-563, SOT-666
Balík zariadení dodávateľa
ES6
Základné číslo produktu
SSM6N16
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
SSM6N16FE
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
8,000
Iné mená
SSM6N16FE,L3F(B
SSM6N16FEL3FCT
SSM6N16FEL3FTR
SSM6N16FEL3FDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6N35AFU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
SSM6N7002BFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
SSM6P35FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
SSM6N35FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6