Výrobca Číslo produktu:
T2N7002AK,LM
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
T2N7002AK,LM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventár:
611252 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891382
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
T2N7002AK,LM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
200mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
17 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
320mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-23-3
Balenie / puzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základné číslo produktu
T2N7002
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
T2N7002AKLM(BDKR-DG
T2N7002AK,LM(T
T2N7002AKLM(BTR
T2N7002AK,LM(B
T2N7002AKLM(BDKR
T2N7002AKLM(BCT-DG
T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLMCT
T2N7002AKLMDKR
T2N7002AKLMTR
T2N7002AKLM(BTR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK2866(F)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
SSM3K17SU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK7A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
