Výrobca Číslo produktu:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventár:
2361 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889524
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVI
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+10V, -20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7760 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK+
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TJ60S06
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6J401TU,LF
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
2SK2963(TE12L,F)
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
