Výrobca Číslo produktu:
TK10Q60W,S1VQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK10Q60W,S1VQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-Pak
Inventár:
75 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890659
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK10Q60W,S1VQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
80W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základné číslo produktu
TK10Q60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
TK10Q60WS1VQ
TK10Q60W,S1VQ(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
TK14A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM