Výrobca Číslo produktu:
TK110P10PL,RQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK110P10PL,RQ-DG
Popis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
6581 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920894
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK110P10PL,RQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2040 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK110P10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TK110P10PL,RQ(S2
264-TK110P10PLRQCT
264-TK110P10PLRQTR
264-TK110P10PLRQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
