Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK12A60U(Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK12A60U(Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
Online RFQ
12889733
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK12A60U(Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
DTMOSII
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
720 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK12A60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK12A60U(Q)
TK12A60U(QM)
TK12A60U(Q)-DG
TK12A60UQ-DG
TK12A60UQM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP14NK60ZFP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STP14NK60ZFP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.05
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPA65R400CEXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
235
ČÍSLO DIELU
IPA65R400CEXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
461
ČÍSLO DIELU
FCPF11N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.58
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SIHA12N60E-E3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
923
ČÍSLO DIELU
SIHA12N60E-E3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.99
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF13NM60ND
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
672
ČÍSLO DIELU
STF13NM60ND-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.78
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK28A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
2SK2962,F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
2SK2962,T6F(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK12A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS