Výrobca Číslo produktu:
TK12A60W,S4VX
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK12A60W,S4VX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
50 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891071
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK12A60W,S4VX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 600µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK12A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX-DG
264-TK12A60W,S4VX
TK12A60WS4VX
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
TK5A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS
TK25V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN
