Výrobca Číslo produktu:
TK12E80W,S1X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK12E80W,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 11.5A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
12949829
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK12E80W,S1X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 570µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
165W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK12E80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK12E80WS1X
TK12E80W,S1X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.60
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK62J60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
