Výrobca Číslo produktu:
TK12J60U(F)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK12J60U(F)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 144W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventár:
12891024
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK12J60U(F) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
DTMOSII
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
720 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
144W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
TK12J60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK12J60UF
TK12J60U(F)-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK14C65W5,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
TK14E65W5,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
TPCA8010-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
