Výrobca Číslo produktu:
TK12P60W,RVQ(S
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK12P60W,RVQ(S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
12890343
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK12P60W,RVQ(S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 600µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK12P60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TK12P60WRVQ(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD16N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3222
ČÍSLO DIELU
STD16N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.28
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD13N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8724
ČÍSLO DIELU
STD13N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.81
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK
TPH2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP