Výrobca Číslo produktu:
TK14N65W5,S1F
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK14N65W5,S1F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Inventár:
30 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891279
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK14N65W5,S1F Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 690µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1300 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
130W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
TK14N65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
SSM5N16FUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
SSM6J50TU,LF
MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6