Výrobca Číslo produktu:
TK18E10K3,S1X(S
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK18E10K3,S1X(S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 18A (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12889644
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK18E10K3,S1X(S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSIV
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
42mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
-
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK18E10
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK18E10K3S1XS
TK18E10K3S1X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK110E10PL,S1X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
171
ČÍSLO DIELU
TK110E10PL,S1X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K303T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
TK22A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS
