Výrobca Číslo produktu:
TK19A45D(STA4,Q,M)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 450 V 19A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
47 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889085
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK19A45D(STA4,Q,M) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
450 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
50W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK19A45
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK19A45DSTA4QM
TK19A45D(STA4QM)
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STF16N50M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
726
ČÍSLO DIELU
STF16N50M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.71
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K335R,LF
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
TK6A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
