Výrobca Číslo produktu:
TK2K2A60F,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK2K2A60F,S4X-DG
Popis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 3.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12920867
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
fYov
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK2K2A60F,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 350µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
450 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK2K2A60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
264-TK2K2A60FS4X
TK2K2A60F,S4X(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK110E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPCA8047-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
TK28V65W5,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
