Výrobca Číslo produktu:
TK2P60D(TE16L1,NV)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK2P60D(TE16L1,NV)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Inventár:
12891222
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK2P60D(TE16L1,NV) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
280 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PW-MOLD
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK2P60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TK2P60D(TE16L1NV)
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD3NK80ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2502
ČÍSLO DIELU
STD3NK80ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.61
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K16CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C
TK7P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
2SJ438,Q(M
MOSFET P-CH TO220NIS
