Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK31N60W5,S1VF
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK31N60W5,S1VF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
Inventár:
Online RFQ
12889343
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK31N60W5,S1VF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
99mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3000 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
230W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
TK31N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK31N60W5
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
TK31N60W5,S1VF-DG
TK31N60W5S1VF
TK31N60W5,S1VF(S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
APT30N60BC6
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2
ČÍSLO DIELU
APT30N60BC6-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.18
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SPW35N60C3FKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
198
ČÍSLO DIELU
SPW35N60C3FKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
5.72
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IPW60R099P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
54
ČÍSLO DIELU
IPW60R099P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.30
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXKH35N60C5
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
117
ČÍSLO DIELU
IXKH35N60C5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.79
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K36FS,LF
MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
SSM3J168F,LF
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS