Výrobca Číslo produktu:
TK31V60W,LVQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK31V60W,LVQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventár:
2494 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890856
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK31V60W,LVQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3000 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
240W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-DFN-EP (8x8)
Balenie / puzdro
4-VSFN Exposed Pad
Základné číslo produktu
TK31V60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TK31V60WLVQCT
TK31V60W,LVQ(S
TK31V60WLVQTR
TK31V60WLVQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
