Výrobca Číslo produktu:
TK32A12N1,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK32A12N1,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
100 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891193
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK32A12N1,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
120 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 60 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK32A12
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD
TK14A65W5,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
TK42A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
