Výrobca Číslo produktu:
TK33S10N1L,LXHQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK33S10N1L,LXHQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventár:
3908 Ks Nové Originálne Na Sklade
12943587
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK33S10N1L,LXHQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2250 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK+
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK33S10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TK33S10N1L,LXHQ(O
264-TK33S10N1LLXHQCT
264-TK33S10N1LLXHQDKR
264-TK33S10N1LLXHQTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK160F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
STD18N65M2-EP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
