Výrobca Číslo produktu:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK34E10N1,S1X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventár:
5 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889476
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK34E10N1,S1X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2600 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
103W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
TK34E10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP100N08N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
587
ČÍSLO DIELU
IPP100N08N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.00
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
