TK39J60W5,S1VQ
Výrobca Číslo produktu:

TK39J60W5,S1VQ

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK39J60W5,S1VQ-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Inventár:

25 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890722
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TK39J60W5,S1VQ Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
38.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4100 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
270W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P(N)
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
TK39J60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
25
Iné mená
TK39J60W5S1VQ
TK39J60W5,S1VQ(O

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TK100A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC6009-H(TE85L,FM

MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6