Výrobca Číslo produktu:
TK3A65DA(STA4,QM)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK3A65DA(STA4,QM)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12890578
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK3A65DA(STA4,QM) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
π-MOSVII
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
490 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
35W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK3A65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
TPCA8026(TE12L,Q,M
MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
TK13A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
