Výrobca Číslo produktu:

TK5A60W5,S5VX

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK5A60W5,S5VX-DG

Popis:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Podrobný popis:

N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventár:

Online RFQ

12988699

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

TK5A60W5,S5VX Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Balenie

Tube

Seriál

DTMOSIV

Stav produktu

Active

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

600 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4.5A (Ta)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

950mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4.5V @ 230µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

11.5 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

370 pF @ 300 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

30W (Tc)

Prevádzková teplota

150°C

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-220SIS

Balenie / puzdro

TO-220-3 Full Pack

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Iné mená

264-TK5A60W5S5VX

264-TK5A60W5,S5VX

264-TK5A60W5,S5VX-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS

ROHS3 Compliant

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

TPH4R008QM,LQ

POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV

infineon-technologies

IPB65R125CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW

infineon-technologies

IPTG063N15NM5ATMA1

TRENCH >=100V

S2M0080120K

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V