Výrobca Číslo produktu:
TK5P60W,RVQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK5P60W,RVQ-DG
Popis:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventár:
9180 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891043
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK5P60W,RVQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.4A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
900mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 270µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
380 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
DPAK
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TK5P60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
TK5P60WRVQDKR
TK5P60W,RVQ(S
TK5P60WRVQTR
TK5P60WRVQCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK2P60D(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
