Výrobca Číslo produktu:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK65A10N1,S4X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
9 Ks Nové Originálne Na Sklade
12891004
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK65A10N1,S4X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5400 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK65A10
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDPF045N10A
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
FDPF045N10A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
Upgrade
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
