Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
DR Kongo
Argentína
Turecko
Rumunsko
Litva
Nórsko
Rakúsko
Angola
Slovensko
ltaly
Fínsko
Bielorusko
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Čierna Hora
Ruština
Belgicko
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Moldavsko
Nemecko
Holandsko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
Francúzsko
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Portugalsko
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Španielsko
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
TK6A60W,S4VX
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK6A60W,S4VX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
45 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889556
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK6A60W,S4VX Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 310µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
390 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK6A60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
TK6A60W
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK6A60WS4VX
TK6A60W,S4VX(M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPAN65R650CEXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
462
ČÍSLO DIELU
IPAN65R650CEXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6008ANX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6008ANX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6007KNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6007KNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1988
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK13A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
TK25N60X5,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB