TK6A60W,S4VX
Výrobca Číslo produktu:

TK6A60W,S4VX

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TK6A60W,S4VX-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventár:

45 Ks Nové Originálne Na Sklade
12889556
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TK6A60W,S4VX Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.7V @ 310µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
390 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK6A60

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50
Iné mená
TK6A60WS4VX
TK6A60W,S4VX(M

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPAN65R650CEXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
462
ČÍSLO DIELU
IPAN65R650CEXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6008ANX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6008ANX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.64
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
R6007KNX
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
R6007KNX-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1988
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TK13A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 40A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK25N60X5,S1F

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

TK50E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB