Výrobca Číslo produktu:
TK7A65W,S5X
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK7A65W,S5X-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12891123
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
z4nn
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK7A65W,S5X Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tube
Seriál
DTMOSIV
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
780mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
490 pF @ 300 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK7A65
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
24
ČÍSLO DIELU
IXTP4N70X2M-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.35
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1988
ČÍSLO DIELU
STF9N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
TK35S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
