Výrobca Číslo produktu:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TK8A10K3,S5Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventár:
12889463
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TK8A10K3,S5Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSIV
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
530 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
18W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220SIS
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
TK8A10
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK22A10N1,S4X
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
29
ČÍSLO DIELU
TK22A10N1,S4X-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
SSM3K337R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
