Výrobca Číslo produktu:
TPC6008-H(TE85L,FM
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPC6008-H(TE85L,FM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 5.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Inventár:
12890490
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPC6008-H(TE85L,FM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSVI-H
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.9A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
300 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
VS-6 (2.9x2.8)
Balenie / puzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základné číslo produktu
TPC6008
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TPC6008HTE85LFM
TPC6008-H(TE85LFM
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
RTQ035N03TR
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
659
ČÍSLO DIELU
RTQ035N03TR-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.19
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
SSM6K516NU,LF
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5845
ČÍSLO DIELU
SSM6K516NU,LF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.10
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMG2302UK-13
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
TPN30008NH,LQ
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
TPH7R506NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
