Výrobca Číslo produktu:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventár:
12891894
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPC8A02-H(TE12L,Q) Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
16A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1970 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP (5.5x6.0)
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Základné číslo produktu
TPC8A02
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMN3010LSS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2390
ČÍSLO DIELU
DMN3010LSS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF8113TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1665
ČÍSLO DIELU
IRF8113TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
BSO040N03MSGXUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2438
ČÍSLO DIELU
BSO040N03MSGXUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMN61D8LQ-7
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
DMN3016LK3-13
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252