TPCA8018-H(TE12LQM
Výrobca Číslo produktu:

TPCA8018-H(TE12LQM

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TPCA8018-H(TE12LQM-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 30A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Inventár:

12890257
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TPCA8018-H(TE12LQM Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2846 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP Advance (5x5)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPCA8018

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMN3009LFV-7
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1215
ČÍSLO DIELU
DMN3009LFV-7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.13
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RMW130N03TB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4815
ČÍSLO DIELU
RMW130N03TB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.29
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TK16V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 8A DPAK

vishay-siliconix

V30429-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

diodes

DMN1017UCP3-7

MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3