Výrobca Číslo produktu:
TPCC8065-H,LQ(S
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPCC8065-H,LQ(S-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventár:
12891439
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPCC8065-H,LQ(S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSVII-H
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1350 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPCC8065
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
CSD17579Q3A
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
41250
ČÍSLO DIELU
CSD17579Q3A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.15
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TPN8R903NL,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5561
ČÍSLO DIELU
TPN8R903NL,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.22
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
NTTFS4C13NTAG
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1349
ČÍSLO DIELU
NTTFS4C13NTAG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.34
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
CSD17579Q3AT
VÝROBCA
Texas Instruments
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5016
ČÍSLO DIELU
CSD17579Q3AT-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RQ3E120BNTB
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2880
ČÍSLO DIELU
RQ3E120BNTB-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.16
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
TK16E60W5,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
HN4K03JUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
