Výrobca Číslo produktu:
TPCC8093,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPCC8093,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventár:
12890936
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
hCjx
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPCC8093,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
-
Seriál
U-MOSVII
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
21A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.2V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1860 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPCC8093
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPCC8093L1Q
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
BSC046N02KSGAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
19920
ČÍSLO DIELU
BSC046N02KSGAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
TK62N60X,S1F
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247