Výrobca Číslo produktu:
TPH1110ENH,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPH1110ENH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventár:
12890764
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPH1110ENH,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.2A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
600 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP Advance (5x5)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPH1110
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QCT
TPH1110ENHL1QDKR
TPH1110ENHL1QTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
