Výrobca Číslo produktu:
TPH1R403NL,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPH1R403NL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 1.6W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventár:
4892 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890773
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPH1R403NL,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4400 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta), 64W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP Advance (5x5)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPH1R403
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPH1R403NL,L1QTR
TPH1R403NLL1QTR
TPH1R403NLL1QDKR
TPH1R403NLL1QCT
TPH1R403NL,L1QDKR-DG
TPH1R403NL,L1QDKR
TPH1R403NL,L1Q(M
TPH1R403NL,L1QCT-DG
TPH1R403NL,L1QCT
TPH1R403NL,L1QTR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPCC8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON