Výrobca Číslo produktu:
TPH2R003PL,LQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPH2R003PL,LQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventár:
12038 Ks Nové Originálne Na Sklade
12920887
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPH2R003PL,LQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.1V @ 500µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6410 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
830mW (Ta), 116W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP Advance (5x5)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPH2R003
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
264-TPH2R003PLLQCT
264-TPH2R003PLLQTR
TPH2R003PL,LQ(S
264-TPH2R003PLLQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
