Výrobca Číslo produktu:
TPH3R203NL,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPH3R203NL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 47A (Tc) 1.6W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventár:
8479 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890453
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
gpCH
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPH3R203NL,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
30 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
47A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.3V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2100 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.6W (Ta), 44W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOP Advance (5x5)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPH3R203
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPH3R203NLL1QTR
TPH3R203NL,L1QDKR
TPH3R203NL,L1QDKR-DG
TPH3R203NL,L1QTR
TPH3R203NL,L1QCT-DG
TPH3R203NL,L1QTR-DG
TPH3R203NLL1QDKR
TPH3R203NLL1QCT
TPH3R203NL,L1QCT
TPH3R203NL,L1Q(M
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
TPCA8103(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
