Výrobca Číslo produktu:
TPN2R304PL,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPN2R304PL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventár:
39427 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890290
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPN2R304PL,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
TPN2R304
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
