Výrobca Číslo produktu:
TPW4R008NH,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPW4R008NH,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventár:
12891256
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPW4R008NH,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
116A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5300 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DSOP Advance
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
TPW4R008
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPW4R008NHL1QTR
TPW4R008NHL1QCT
TPW4R008NH,L1Q(M
TPW4R008NHL1QDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPC8133,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
TPCC8006-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
2SJ380(F)
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS