TPW4R008NH,L1Q
Výrobca Číslo produktu:

TPW4R008NH,L1Q

Product Overview

Výrobca:

Toshiba Semiconductor and Storage

Číslo dielu:

TPW4R008NH,L1Q-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

Inventár:

12891256
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TPW4R008NH,L1Q Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
116A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5300 pF @ 40 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DSOP Advance
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
TPW4R008

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPW4R008NHL1QTR
TPW4R008NHL1QCT
TPW4R008NH,L1Q(M
TPW4R008NHL1QDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8133,LQ(S

MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCC8006-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

2SJ380(F)

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R204PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP