Výrobca Číslo produktu:
TPWR8004PL,L1Q
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
TPWR8004PL,L1Q-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventár:
8799 Ks Nové Originálne Na Sklade
12890210
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
96UB
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPWR8004PL,L1Q Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSIX-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
0.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 1mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
9600 pF @ 20 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1W (Ta), 170W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-DSOP Advance
Balenie / puzdro
8-PowerWDFN
Základné číslo produktu
TPWR8004
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
TPWR8004PLL1QDKR
TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PLL1QTR
TPWR8004PLL1QCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
SSM3J143TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
