Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
XPN6R706NC,L1XHQ
Product Overview
Výrobca:
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo dielu:
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 840mW (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Inventár:
29285 Ks Nové Originálne Na Sklade
12938222
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
XPN6R706NC,L1XHQ Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
U-MOSVIII-H
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
40A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
840mW (Ta), 100W (Tc)
Prevádzková teplota
175°C
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Základné číslo produktu
XPN6R706
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
XPN6R706NC,L1XHQ-DG
Technické listy
XPN6R706NC,L1XHQ
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
264-XPN6R706NCL1XHQTR
XPN6R706NC,L1XHQ(O
264-XPN6R706NCL1XHQCT
264-XPN6R706NCL1XHQDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
XPH3R114MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
TK1R4S04PB,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 120A DPAK
AOUS66414
MOSFET N-CH 40V 40A/92A ULTRASO8