Výrobca Číslo produktu:
TPH3208LD
Product Overview
Výrobca:
Transphorm
Číslo dielu:
TPH3208LD-DG
Popis:
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)
Inventár:
13446877
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TPH3208LD Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Transphorm
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.6V @ 300µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±18V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
760 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
96W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
4-PQFN (8x8)
Balenie / puzdro
4-PowerDFN
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
60
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TPH3208LDG
VÝROBCA
Transphorm
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
20
ČÍSLO DIELU
TPH3208LDG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
8.70
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
TPH3208PS
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB