Výrobca Číslo produktu:
UF3C120080K4S
Product Overview
Výrobca:
Qorvo
Číslo dielu:
UF3C120080K4S-DG
Popis:
SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 254.2W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventár:
16485 Ks Nové Originálne Na Sklade
12930661
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
UF3C120080K4S Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Qorvo
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
12V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max.) @ Id
6V @ 10mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1500 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
254.2W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-4
Balenie / puzdro
TO-247-4
Základné číslo produktu
UF3C120080
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
2312-UF3C120080K4S
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
FDMS2D5N08C
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
