Výrobca Číslo produktu:
2N6660-E3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
2N6660-E3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)
Inventár:
12910499
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
2N6660-E3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
990mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-205AD (TO-39)
Balenie / puzdro
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Základné číslo produktu
2N6660
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
100
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFP350LCPBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
IRL520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
