Výrobca Číslo produktu:
IRF510L
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF510L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventár:
12868639
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF510L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IRF510
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
*IRF510L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF730ASTRL
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
BUK7Y25-80E/CX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
IRFI820GPBF
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
