Výrobca Číslo produktu:
IRF630PBF-BE3
Product Overview
Výrobca:
Vishay Siliconix
Číslo dielu:
IRF630PBF-BE3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventár:
12945880
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRF630PBF-BE3 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Vishay
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
74W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IRF630
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
742-IRF630PBF-BE3
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF624PBF-BE3
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
IRL630PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
TK210V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN
